刻蚀机ICP
设备名称:刻蚀机ICP
型号:DISC-ICP-8100/北京创世威纳科技有限公司
主要功能:等离子体垂直向下对未被掩蔽的被刻蚀材料表面进行物理轰击,并与材料表面发生化学反应,对样品进行化学物理相结合的刻蚀。刻蚀材料广泛,包括并不限于Si、Si0e、SiN、聚合物等。
主要技术参数:
1.极限真空度:刻蚀室≤5*10-4Pa,Load-Lock室≤0.67Pa;
2.刻蚀室漏率:≤5*10-7Pa.1/s;
3.刻蚀室静态升压:刻蚀室关闭12小时后,真空度≤5Pa;
4.系统充氮气解除真空时,短时暴露大气中抽至5*10-4Pa时,所用时间小于30min,抽至9*10-4Pa时不大于40min;
5.射频阴极尺寸:直径200mm;
6.Load-Lock室最大运送样品尺寸:直径6英寸。