设备名称：刻蚀机ICP

型号：DISC-ICP-8100/北京创世威纳科技有限公司

主要功能：等离子体垂直向下对未被掩蔽的被刻蚀材料表面进行物理轰击，并与材料表面发生化学反应，对样品进行化学物理相结合的刻蚀。刻蚀材料广泛，包括并不限于Si、Si0e、SiN、聚合物等。

主要技术参数：

1.极限真空度：刻蚀室≤5*10-4Pa，Load-Lock室≤0.67Pa；

2.刻蚀室漏率：≤5*10-7Pa.1/s；

3.刻蚀室静态升压：刻蚀室关闭12小时后，真空度≤5Pa；

4.系统充氮气解除真空时，短时暴露大气中抽至5*10-4Pa时，所用时间小于30min，抽至9*10-4Pa时不大于40min；

5.射频阴极尺寸：直径200mm；

6.Load-Lock室最大运送样品尺寸：直径6英寸。