磁控溅射装置
设备名称:磁控溅射装置
型号:MSP-300B/北京创世威纳科技有限公司
主要功能:
通过磁控溅射技术在不同材料衬底上沉积:金属材料、磁性材料、非金属、金属化合物、非金属化合物、半导体材料等薄膜。支持氧化物、氮化物等反应溅射功能。
支持射频磁控溅射方式镀膜;直流磁控溅射方式镀膜。同时支持:倾斜靶方式磁控共溅射镀膜,垂直靶方式磁控溅射镀膜。
主要技术参数:
1.极限真空度:≤6.7*10-5Pa;
2.系统漏率:5*10-7Pa.1/s;
3.静态升压:系统关泵12小时后,真空度≤5Pa;
4.系统充干燥氮气解除真空,短时暴露大气后抽气至9*10-4Pa≤30min;
5.磁控靶配置:带可调节直径80mm磁控靶3只,2只普通磁场,1只强磁场,角度调节精度:1度;
6.靶基距可调:80-120mm;
7.溅射不均匀性:≤±5%
8.工艺气体:Ar、O2、N2