设备名称：磁控溅射装置

型号：MSP-300B/北京创世威纳科技有限公司

主要功能：

通过磁控溅射技术在不同材料衬底上沉积:金属材料、磁性材料、非金属、金属化合物、非金属化合物、半导体材料等薄膜。支持氧化物、氮化物等反应溅射功能。

支持射频磁控溅射方式镀膜;直流磁控溅射方式镀膜。同时支持:倾斜靶方式磁控共溅射镀膜，垂直靶方式磁控溅射镀膜。

主要技术参数：

1.极限真空度：≤6.7*10-5Pa；

2.系统漏率：5*10-7Pa.1/s；

3.静态升压：系统关泵12小时后，真空度≤5Pa；

4.系统充干燥氮气解除真空，短时暴露大气后抽气至9*10-4Pa≤30min；

5.磁控靶配置：带可调节直径80mm磁控靶3只，2只普通磁场，1只强磁场，角度调节精度：1度；

6.靶基距可调：80-120mm；

7.溅射不均匀性：≤±5%

8.工艺气体：Ar、O2、N2