个人信息：

碳基材料与功能薄膜研究室首席教授。先后在北京科技大学获得学士、硕士、博士学位、中国科学院力学研究所博士后。兼任中国热处理学会常务理事，单晶金刚石及其电子器件泛太平洋国际研发与产业联盟理事，全国磨料磨具标准化技术委员会委员等。

主要从事金刚石膜与金刚石单晶制备及其功能应用研究。从事金刚石材料研究近30年，领导团队发展了大面积、无裂纹超厚金刚石膜等离子体喷射法制备技术，开展了微波等离子体技术装备和应用研究，率先在国内拓展金刚石多晶和单晶电子学的研究，金刚石膜热学应用在国际上处于领先水平，推动了CVD金刚石自支撑膜的工业化应用。

先后主持和参与国家重大专项（子项目）、国家重点研发计划、国际政府间合作项目欧洲地平线计划2020、国家“863”计划、国家自然科学基金和JP配套项目等研究项目60余项。参与起草国家标准2项和审查国家标准20多项。在国际性学术会议做邀请报告20多次，多家国外杂志专题主编和国内杂志编委，在碳相关领域发表学术论文300余篇，参加编写专著4部, 授权国家发明专利60余项，获得教育部技术发明一等奖1项，省部级科技进步奖3项。

研究方向：

碳材料（金刚石、碳纳米管、石墨烯等）光电器件的研究与应用

大面积高品质自支撑金刚石膜制备与加工 CVD金刚石单晶生长与应用

高功率电子器件热管理

新型功能薄膜材料设计与制备

高级电化学水处理

等离子体表面改性与等离子体诊断等。

在顺德创新学院的基础科研条件：

团队依托佛山市碳电子信息材料工程技术研究中心设立，团队有教师5人，专职实验员1人，设备固定资产约500万元，主要仪器设备有：微波等离子体CVD系统，热丝CVD系统，热分解CVD系统，感应耦合等离子体刻蚀系统（ICP），射频磁控溅射系统，真空晶圆键合系统，光刻机，扫描电子显微镜，台阶仪，光学显微镜，溅射镀膜机，四探针仪，拉伸仪等。

团队主要研究方向包括微波CVD沉积系统开发，大尺寸金刚石材料制备及应用，CVD金刚石单晶及半导体器件，碳纳米管光学及电子学应用，PVD薄膜生长与应用等。

依托顺德创新学院科研项目：

“北科大-奔朗新材料联合研发中心”共建协议，横向，2021.5.6-2025.12.31，参与；

电子器件高效散热涂层研制，北京科技大学顺德创新学院科技创新专项,2020.1.1-2021.12.31，项目负责人。

代表性成果：

代表性论文

1. Zheng Yuting, Ye Haitao*, Thornton Rob, Knott Tom, Ochalski J. Tomasz, Wang Jue, Liu Jinlong, Wei Junjun, Chen Liangxian, Cumont Aude, Zhang Ruoying, Li Chengming*. Subsurface cleavage of diamond after high-speed three-dimensional dynamic friction polishing. Diamond and Related Materials. 2020, 101(1): 107600.

2. Zheng Yuting, Liu Jinlong, Zhang Ruoying, Cumont Aude, Wang Jue, Wei Junjun, Li Chengming*, Ye Haitao*. Fast smoothing on diamond surface by inductively coupled plasma reactive ion etching. Journal of Materials Research. 2020, 35: 462-472.

3. Zheng Yuting, Zhang Rui, Chen Xiaodong, Hing Peter, Liu Jinlong, Wei Junjun, Wang Jue, Li Chengming*, Ye Haitao*. Doomed couple of diamond with terahertz frequency: hyperfine quality discrimination and complex dielectric responses of diamond in terahertz waveband. ACS Applied Electronic Materials, 2020, 2(5): 1459–1469

4. XiaoluYuan, JiangweiLiu*, SiwuShao, JinlongLiu, JunjunWei, BoDa, Chengming Li*, YasuoKoide. Thermal stability investigation for Ohmic contact properties of Pt, Au, and Pd electrodes on the same hydrogen-terminated diamond，AIP Advances, 2020, 10(5): 055114.

5. Zi Hao Guo, Yu Cui Jiao, Hai Lu Wang, Chen Zhang, Fei Liang, Jin Long Liu, Hai Dong Yu,* Cheng Ming Li,* Guang Zhu,* and Zhong Lin Wang*, Self-Powered Electrowetting Valve for Instantaneous and Simultaneous Actuation of Paper-Based Microfluidic Assays, Advanced Functional Materials, 2019, 1808974(1-7).

6. Zheng Yuting, Liu Jinlong, Wang Jingjing, Li Zhengcheng, HaoHui, Wei Junjun, Chen Liangxian, Ye Haitao, Li Chengming*. The direct-current characteristics and surface repairing of a hydrogen terminated free-standing polycrystalline diamond in aqueous solutions. Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2019, 130(7):111-119.

7. Zheng Yuting, Ye Haitao, Liu Jinlong, Wei Junjun, Chen Liangxian, Li Chengming*. Surface morphology evolution of a polycrystalline diamond by inductively coupled plasma reactive ion etching (ICP-RIE). Materials Letters. 2019, 253(10): 276–280.

8. XiaoluYuan, YutingZheng, XiaohuaZhu, JinlongLiu, JiangweiLiu, Chengming Li*, Peng Jin*, Zhanguo Wang. Recent progress in diamond-based MOSFETs. International Journal of Minerals, Metallurgy, and Materials, 2019, 26(10): 1195-1205.

9. Zhao, Y, Li, CM*, Liu, JL, An, K, Yan, XB, Hei, LF, Chen, LX, Wei, JJ, Lu, FX, The Interface and Mechanical Properties of a CVD Single Crystal Diamond Produced by Multilayered Nitrogen Doping Epitaxial Growth, Materials, 2019, 12: 2492(1-12).

10. 李成明*, 陈良贤, 刘金龙, 魏俊俊, 黑立富, 吕反修. 直流电弧等离子体喷射法制备金刚石自支撑膜研究新进展. 金刚石与磨料磨具工程, 2018, 38(1): 16-26.

11. Yun Zhao,Yanzhao Guo, Liangzhen Lin, YuntingZheng, LifuHei, Jinlong Liu, Junjun Wei, Liangxian Chen,Chengming Li*. Relationship between Birefringence and Surface Morphology in Single-Crystal Diamonds Grown by MPCVD.Crystal Research and Technology, 2018, 53(7): 1800055.

12. Yun Zhao, Yan zhao Guo, Liangzhen Lin, Yuting Zheng, Lifu Hei, Jinlong Liu, Junjun Wei, Liangxian Chen,Chengming Li*. Comparison of the quality of single-crystal diamonds grown on two types of seed substrates by MPCVD. Journal of Crystal Growth, 2018, 491(6): 89-96.

13. Kang An,Liangxian Chen, Xiongbo Yan, Xin Jia, Jinlong Liu, Junjun Wei, Yuefei Zhang, Fanxiu Lu, Chengming Li*. Fracture strength and toughness of chemical-vapor-deposited polycrystalline diamond films. Ceramics International, 2018, 15(10): 17845-17851.

14. Kang An, Liangxian Chen, Xiongbo Yan, Xin Jia, Yun Zhao, Yuting Zheng, Jinlong Liu, Junjun Wei, Fanxiu Lu, Chengming Li*. Fracture behavior of diamond films deposited by DC arc plasma jet CVD. Ceramics International, 2018, 44(8): 13402-13408.

申请专利

1、李成明，郑宇亭，刘金龙，魏俊俊，陈良贤，一种通过离子注入制备金刚石氮镍复合色心的方法，201911033263.1，2019-10-28，发明专利，申请。

2、李成明，原晓芦，郑宇亭，黄亚博，刘金龙，魏俊俊，陈良贤，一种降低氢终端金刚石欧姆接触电阻的方法，201910590637.3，2019-07-02，发明专利，申请。

3、李成明，原晓芦，郑宇亭，黄亚博，刘金龙，魏俊俊，陈良贤，一种低阻氢终端金刚石欧姆接触电极，201921018266.3，2019-07-02，实用新型，申请。

4、李成明，刘金龙，朱肖华，邵思武，赵云，屠菊萍，陈良贤，魏俊俊，张建军，一种垂直拼接制备大尺寸CVD金刚石及切割方法，201910560201.X，2019-06-26，发明专利，申请。

5、李成明，黄亚博，陈良贤，刘金龙，魏俊俊，张建军，一种xxx的装置及沉积方法，201918000847.3，2019-03-15，发明专利，申请。

6、李成明，原晓芦，魏俊俊，刘金龙，陈良贤，一种气体传感器微热板，ZL201920113696.7，2019-01-23，实用新型，授权，公告日：2019-10-18。

7、李成明，赵云，陈良贤，刘金龙，魏俊俊，郭艳召，安康，闫雄伯，贾鑫，一种用于锡圆环片成型的模具，ZL201821698191.3，2018-10-19，实用新型，授权，公告日：2019-07-16。

8、李成明，安康，陈良贤，贾鑫，魏俊俊，张建军，刘金龙，一种制备高质量金刚石的气体循环系统及其使用方法，201811146959.0，2018-09-29，发明专利，申请。

9、李成明，贾鑫，魏俊俊，刘金龙，陈良贤，一种制备金刚石基衬底氮化镓晶体管的方法，201811089355.7，2018-09-18，发明专利，申请。

10、李成明，赵云，刘金龙，郑宇亭，陈良贤，魏俊俊，一种提高CVD单晶金刚石硬度及韧性的方法，201810556015.4，2018-06-01，发明专利，申请。

11、李成明，郑宇亭，刘金龙，赵云，郭艳召，魏俊俊，陈良贤，不间断动态原位合成单晶与超纳米金刚石复合结构的方法，ZL201810307871.6，2018-04-08，发明专利，授权，公告日：2019-12-17。

12、李成明，郑宇亭，刘金龙，魏俊俊，黑立富，陈良贤，生物应用的羟基终端纳米金刚石的高效终端化制备方法，ZL201711084169.X，2017-11-07，发明专利，授权，公告日：2019-08-27。

13、李成明，郑宇亭，刘金龙，赵云，郭艳召，魏俊俊，黑立富，陈亮贤，一种用于离子传感器的氢终端金刚石表面电化学修复方法，ZL201710861985.0，2017-09-20，发明专利，授权，公告日：2019-11-12。

14、李成明，贾鑫，魏俊俊，陈良贤，安康，郑宇亭，黑立富，刘金龙，一种基于非自支撑GaN对粘制备金刚石基GaN的方法，ZL201710491945.1，2017-06-26，发明专利，授权，公告日：2019-07-09。

15、李成明，赵云，林亮珍，安康，郑宇亭，黑立富，刘金龙，魏俊俊，陈良贤，微波等离子体化学气相沉积法生长单晶金刚石用的沉积台，ZL201720707933.3，2017-06-01，实用新型，授权，公告日：2018-01-02。

16、李成明，郑宇亭，林亮珍，赵云，刘金龙，魏俊俊，陈良贤，黑立富，单晶金刚石表面原位n型半导体化全碳结构的制备方法，ZL201710363710.4，2017-05-22，发明专利，授权，公告日：2019-08-27。